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?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
April 2005
BAT54SWT1G/BAT54CWT1G Schottky Diodes
BAT54SWT1G/BAT54CWT1G Rev. A
BAT54SWT1G/BAT54CWT1G
Schottky Diodes
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
FR-4 board (3.0
×
4.5
×
0.062” by 1.0
×
0.5” land pads)
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 30 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
600 mA
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +125
°C
TJ
Operating Junction Temperature -65 to +125
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 232 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 430
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 10
μA30V
VF
Forward Voltage IF
= 0.1mA
IF
= 1mA
IF
= 10mA
IF
= 30mA
IF
= 100mA
240
320
400
500
0.8
mV
mV
mV
mV
V
IR
Reverse Leakage VR
= 25V 2
μA
CT
Total Capacitance VR
= 1V, f = 1.0MHz 10 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 10mA, I
RR
= 1.0mA,
RL
= 100
?
5.0 ns
12
3
BAT54SWT1G = YB
BAT54CWT1G = YC
MARKING
Connection Diagram
3
1
2
3
1
2
BAT54CWT1G
BAT54SWT1G
SOT-323
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